Name: 17a 55v 45w hoher Leistung Kanal des Transistor-Oberflächenberg-IRFR024NTRPBF D PAK N
Brand: IOR
SKU: IRFR024NTRPBF
Rating: 4.7 (141 reviews)

Eigenschaften Galerie Produkt-Beschreibung Fordern Sie ein Zitat

Eigenschaften

Technische Daten

Vorbildliches Number:: IRFR024NTRPBF

Art: integrierte Schaltung

Markenname: Original brand

Paket-Art: SMD

Hafen: Shenzhen oder Hong Kong

Vorbereitungs- und Anlaufzeit: Tage 1-3working

Markieren:

Transistor der hohen Leistung 55v

Transistor der hohen Leistung 45w

IRFR024NTRPBF

Grundinformation

Herkunftsort: Ursprüngliche Fabrik

Markenname: IOR

Zertifizierung: ROHS COMPLIANT

Modellnummer: IRFR024NTRPBF

Zahlung und Versand AGB

Verpackung Informationen: Standardverpacken

Lieferzeit: Innerhalb 3days

Zahlungsbedingungen: T/T im Voraus, Western Union, Xtransfer

Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 1000

Galerie

17a 55v 45w hoher Leistung Kanal des Transistor-Oberflächenberg-IRFR024NTRPBF D PAK N

Produkt-Beschreibung

OBERFLÄCHENtransistor DER BERG-HOHEN LEISTUNG IRFR024NTRPBF KANAL 55V 17A 45W d PAK n

Ausführliche Produkt-Beschreibung

Fet-Art:

N-Kanal

Betriebstemperatur:

-55°C | 175°C

Feuchtigkeits-Empfindlichkeits-Niveau (MSL):

1 (unbegrenzt)

Bleifreier Status/RoHS-Status:

Bleifrei/RoHS konform

Glanzpunkt:

mosfet-Transistoren der hohen Leistung

n-Kanal mosfet-Transistor

Oberflächenberg RoHS IRFR024NTRPBF D-PAK N-Kanal-55V 17A 45W konform

Eigenschaft

L ultra niedriger Auf-Widerstand

L Oberflächen-Berg (IRFR024N)

L gerade Führung (IRFU024N)

L brachte Verfahrenstechnik voran

L schnelle Schaltung

L völlig Lawine veranschlagt

Fet-Art	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss)	55V
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C	17A (Tc)
Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs	75 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation	4V @ 250µA
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs	20nC @ 10V
Vgs (maximal)	±20V
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds	370pF @ 25V
Fet-Eigenschaft	-
Verlustleistung (maximal)	45W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C \| 175°C (TJ)
Befestigung der Art	Oberflächenberg

Liste anderer elektronischer Bauelemente auf Lager
TC7WU04F	TOSHIBA	MC78L15ACDR2	AUF
LMV822AIDT	STM	ADP3050ARZ-3.3	Fluglageanzeiger
SPA21N50C3	INFINEON	SESD9L5V	SEMITECH
PM50B5LA060#300G	MITSUBISH	PM5315-BI	PMC
HI4P0546-5Z	INTERSI	MMSZ5243B	PANJIT
74HCT153D		DS9034PCX+	DALLAS
LQH55PN220MR0L	MURATA	AH293-PL	ANACHIP
2SK3543	TOSHIBA	ADV202BBCZ-150	Fluglageanzeiger
THS4051CD	TI	554AA000124BGR	SILCON
LTC3441EDE#TRPBF	LT	XC9536XL-10PC44C	XILINX
RN2405 (TE85L	TOSHIBA	TLV1018-15YDCR	TI
VS-60EPS12-M3	VISHAY	BYT230PIV400	St.
WT7530-TO5QWT-OA	N/A	AG203-86	WJ/TRIQUINT
PI6C557-05LEX	PERICOM	MC74VHC1G126	AUF
82CNQ030APBF	IR	LMX4169ALQXN	NS
MAX3080EESD+T	MAXIME	LM1117DTX-1.8	NS
IDT89H48H12G2ZCBLG	IDT	B360A-13-F	DIODEN
ATMLU826	ATMEL/ADESTO	APL5501-30Because-TRL	ANPEC
ADS774JP	BB	88F6820-A0-BRT2C120	MARVELL
3352E-1-103IF	BOURNS	74F5074B

Größe und Tag:

Ansprechpartner :	Jack
Telefon :	+8618098974141

17a 55v 45w hoher Leistung Kanal des Transistor-Oberflächenberg-IRFR024NTRPBF D PAK N

Transistor der hohen Leistung 55v

Transistor der hohen Leistung 45w

IRFR024NTRPBF

mosfet-Transistoren der hohen Leistung

n-Kanal mosfet-Transistor

Mosfet-Leistungstransistor

Transistor der hohen Leistung

n-Kanal mosfet-Transistor

600v 16a Mosfet-Leistungstransistor TO-247-3 IRFPC60PBF durch Loch

150mhz - Energie Mosfet-Transistoren M68702h Rf-175mhz für Fm-Mobilfunk

Kanal IRFP4227PBF DC IRFP4227 Mosfet-Leistungstransistor-N ZU -247AC

Mosfet-Transistoren hoher Leistung 1200v 50a/Thyristor CLA50E1200HB

NPN niedrige Vcesat Ergänzung PBSS4160T Mosfet-Leistungstransistors PNP

Drei positiver Spannungs-Regler 5V KIA7805AF Mosfet-am Endetransistor

Integrierte fet-Reihe Graben des Mosfet-Leistungstransistor-Chips SUD50P06-15L-E3

Mosfet-Transistor-Oberflächenberg IRF640NSTRLPBF Kanal 200v N