Name: NPN niedrige Vcesat Ergänzung PBSS4160T Mosfet-Leistungstransistors PNP
Brand: Original
SKU: PBSS4160T, 215
Rating: 4.6 (190 reviews)

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Eigenschaften

Technische Daten

Hersteller Part Number: PBSS4160T, 215

Markenname: original

Art: integrierte Schaltung

Herkunftsort: Ursprünglicher Hersteller

DC: Lastest neu

Vorbereitungs- und Anlaufzeit: Tage 1-3working

Markieren:

Niedriger Vcesat Mosfet-Leistungstransistor

NPN Mosfet-Leistungstransistor

PBSS4160T

Grundinformation

Herkunftsort: Ursprüngliche Fabrik

Markenname: Original

Zertifizierung: Standard Certification

Modellnummer: PBSS4160T, 215

Zahlung und Versand AGB

Verpackung Informationen: Standardverpacken

Lieferzeit: Innerhalb 3days

Zahlungsbedingungen: T/T im Voraus, Western Union, Xtransfer

Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 1000

Galerie

NPN niedrige Vcesat Ergänzung PBSS4160T Mosfet-Leistungstransistors PNP

Produkt-Beschreibung

NPN NIEDRIGE VCESAT ERGÄNZUNG PBSS4160T MOSFET-LEISTUNGSTRANSISTOR-PNP

Waren bedingen:	Nagelneu	Teil-Status:	Aktiv
Bleifrei/Rohs:	Beanstandung	Funktion:	NPN
Befestigung der Art:	Oberflächenberg	Paket:	SOT23
Glanzpunkt:	n-Kanal mosfet-Transistor , n-Kanaltransistor

Niedriger VCEsat Transistor PBSS4160T NPN in einer SOT23 Plastikergänzung des pakets PNP zu PBSS5160T

EIGENSCHAFTEN
• Niedrige Kollektor-Emitter Sättigungsspannung VCEsat
• Hohe Kollektorstromfähigkeit IC und ICM
• Hohe Leistungsfähigkeit, verringert Hitzegeneration
• Verringert den erforderten Leiterplattebereich
• Kosteneffektiver Ersatz für mittleren Leistungstransistor BCP55 und BCX55.

ANWENDUNGEN
• Bedeutende Anwendungssegmente:
– Automobil-42 v-Energie
– Telekommunikationsinfrastruktur
– Industriell.
• Energiemanagement:
– Umwandlung DC-zu-DC
– Zuleitungsschaltung.
• Zusatzfahrer
– Fahrer in den niedrigen Versorgungsspannungsanwendungen (z.B. Lampen und LED)
– Fahrer der induktiven Belastung (z.B. Relais, Summer und Motoren).

Hersteller	Nexperia USA Inc.
Reihe	-
Verpacken	Band u. Spule (TR)
Teil-Status	Aktiv
Transistor-Art	NPN
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal)	1A
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal)	60V
Vce-Sättigung (maximal) @ Ib, IC	250mV @ 100mA, 1A
Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal)	100nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Minute) @ IC, Vce	200 @ 500mA, 5V
Macht- maximales	400mW
Frequenz - Übergang	220MHz
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigung der Art	Oberflächenberg
Paket/Fall	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lieferanten-Gerät-Paket	TO-236AB (SOT23)
Niedrige Teilnummer	PBSS4160

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TG83-1505NUTR	HALO	BSS138N E6327	INFINEON
RC2010JK-07820RL	YAGEO	AD5314ARMZ-REEL7	Fluglageanzeiger
CD4572BE	TI	1632-32.76MHZ	NDK
74LVQ00TTR	STM	SBC560	LITEON

Größe und Tag:

Ansprechpartner :	Jack
Telefon :	+8618098974141

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