Mosfet-Transistor-Oberflächenberg IRF640NSTRLPBF Kanal 200v N

Berg D2PAK der IRF640NSTRLPBF-N-Kanal Mosfet-Transistor-200V 18A (Tc) Oberflächen-150W (Tc)

? Moderne Verfahrenstechnik?

Dynamische dv-/dtbewertung? 175°C Betriebstemperatur?

Schnelle Schaltung? Völlig Lawine veranschlagt?

Leichtigkeit des Vergleichs?

Einfache Antriebs-Anforderungen

Beschreibung

MOSFETs Energie der fünften Generation HEXFET® vom internationalen Gleichrichter verwenden moderne Verfahrenstechniken, um - niedrigen Aufwiderstand pro Silikonbereich extrem zu erzielen. Dieser Nutzen, kombiniert mit der schnellen Schaltverzögerung und ruggedized dem Gerätentwurf, die HEXFET-Energie MOSFETs weithin bekannt sind für, versieht den Designer mit einem extrem leistungsfähigen und zuverlässigen Gerät für Gebrauch in einer großen Vielfalt von Anwendungen. Das Paket TO-220 wird allgemeinhin für alle Handels-industriellen Anwendungen auf Verlustleistungsniveaus zu ungefähr 50 Watt bevorzugt. Der niedrige thermische Widerstand und niedrigen die Paketkosten des TO-220 tragen zu seiner breiten Annahme während der Industrie bei. Das D2Pak ist ein Oberflächenbergenergiepaket, das zur Unterbringung fähig ist, Größen bis zu HEX-4 zu sterben. Es liefert die Fähigkeit der höchsten Energie und das niedrigste mögliche onresistance in jedem vorhandenen Oberflächenbergpaket. Das D2Pak ist für hohe gegenwärtige Anwendungen wegen seines niedrigen internen Verbindungswiderstands passend und kann sich bis zu 2.0W in einer typischen Oberflächenberganwendung zerstreuen. Die Durchlochversion (IRF640NL) ist für flache Anwendung verfügbar.

Hersteller	Infineon Technologies
Reihe	HEXFET®
Verpacken	Band u. Spule (TR)
Teil-Status	Aktiv
Fet-Art	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss)	200V
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C	18A (Tc)
Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation	4V @ 250µA
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs	67nC @ 10V
Vgs (maximal)	±20V
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds	1160pF @ 25V
Fet-Eigenschaft	-
Verlustleistung (maximal)	150W (Tc)
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs	150 mOhm @ 11A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C | 175°C (TJ)
Befestigung der Art	Oberflächenberg
Lieferanten-Gerät-Paket	D2PAK
Paket/Fall	TO-263-3, d-² PAK (2 Führungen + Vorsprung), TO-263AB