Name: Integrierte fet-Reihe Graben des Mosfet-Leistungstransistor-Chips SUD50P06-15L-E3
Brand: VISHAY
SKU: SUD50P06-15L-E3
Rating: 4.9 (169 reviews)

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Eigenschaften

Technische Daten

Modellnummer: SUD50P06-15L-E3

Art: integrierte Schaltung

Herkunftsort: Ursprünglicher Hersteller

D/C: Newst

Hafen: Shenzhen oder Hong Kong

Vorbereitungs- und Anlaufzeit: Tage 1-3Working

Markieren:

Integrierter Mosfet-Leistungstransistor

Mosfet-Leistungstransistor-Chip

SUD50P06-15L-E3

Grundinformation

Herkunftsort: Ursprüngliche Fabrik

Markenname: VISHAY

Zertifizierung: ROHS

Modellnummer: SUD50P06-15L-E3

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Verpackung Informationen: Standardverpacken

Lieferzeit: Innerhalb 3days

Zahlungsbedingungen: T/T im Voraus, Western Union, Xtransfer

Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 1000

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Integrierte fet-Reihe Graben des Mosfet-Leistungstransistor-Chips SUD50P06-15L-E3

Produkt-Beschreibung

P-CH INTEGRIERTE SCHALTUNG IC BRECHEN SUD50P06-15L-E3 TO252 GRABEN FET-REIHE AB

Waren bedingen:	Nagelneu	Teil-Status:	Aktiv
Bleifrei/Rohs:	Beanstandung	Funktion:	Mosfet
Befestigung der Art:	Oberflächenberg	Paket:	TO-252
Glanzpunkt:	n-Kanal mosfet-Transistor , n-Kanaltransistor

IC-Chip MOSFET P-CH 60V 50A TO252 TrenchFET der integrierten Schaltung SUD50P06-15L-E3 Reihe

P-Kanal 60 V (D-S), 175 °C MOSFET

EIGENSCHAFTEN
1, TrenchFET®-Energie MOSFET
2, 175 °C Grenzschichttemperatur
3, konform zu RoHS richtungweisendes 2002/95/EC

Hersteller	Vishay Siliconix
Reihe	TrenchFET®
Verpacken	Band u. Spule (TR)
Teil-Status	Aktiv
Fet-Art	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss)	60V
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C	50A (Tc)
Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation	3V @ 250µA
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs	165nC @ 10V
Vgs (maximal)	±20V
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds	4950pF @ 25V
Fet-Eigenschaft	-
Verlustleistung (maximal)	3W (Ta), 136W (Tc)
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs	15 mOhm @ 17A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C \| 175°C (TJ)
Befestigung der Art	Oberflächenberg
Lieferanten-Gerät-Paket	TO-252, (D-PAK)
Paket/Fall	TO-252-3, DPak (2 Führungen + Vorsprung), SC-63

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TMX320DM8148CCYE2	TI	TLE4269GL	SIEMENS
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VIPER53-DIP-E	St.	DS2482S-100+T$R	MAXIME

Größe und Tag:

Ansprechpartner :	Jack
Telefon :	+8618098974141

Integrierte fet-Reihe Graben des Mosfet-Leistungstransistor-Chips SUD50P06-15L-E3

Integrierter Mosfet-Leistungstransistor

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