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Einzelnes Hochspannungsmosfet-Leistungstransistor DC SIHB22N60E-E3 ROHS

Mindestbestellmenge: 10 PCS
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Preis
Einzelnes Hochspannungsmosfet-Leistungstransistor DC SIHB22N60E-E3 ROHS
Eigenschaften Galerie Produkt-Beschreibung Fordern Sie ein Zitat
Eigenschaften
Technische Daten
Hersteller Part Number: SIHB22N60E-E3
Markenname: original
Art: integrierte Schaltung
Herkunftsort: Ursprünglicher Hersteller
DC: Lastest neu
Vorbereitungs- und Anlaufzeit: Tage 1-3Working
Markieren:

Einzelner Mosfet-Leistungstransistor

,

Mosfet-Leistungstransistor ROHS

,

Hochspannungsmosfet-Transistor DC
Grundinformation
Herkunftsort: Ursprüngliche Fabrik
Markenname: VISHAY
Zertifizierung: ROHS
Modellnummer: SIHB22N60E-E3
Zahlung und Versand AGB
Verpackung Informationen: Standardverpacken
Lieferzeit: Innerhalb 3days
Zahlungsbedingungen: T/T im Voraus, Western Union, Xtransfer
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 1000
Produkt-Beschreibung

EINZELNER MOSFET-HOCHSPANNUNGSLEISTUNGSTRANSISTOR SIHB22N60E - PAKET D2PAK E3 600V 21A

 

Fet-Art: N-Kanal Betriebstemperatur: -55°C | 150°C (TJ)
Paket: TO263-3 D2PAK
Glanzpunkt:

n-Kanal mosfet-Transistor

,

n-Kanaltransistor
 

 

 

Einzelner Mosfet-HochspannungsLeistungstransistor SIHB22N60E - Paket D2PAK E3 600V 21A

 

EINZELNE MOSFETS N-KANAL MSL 1

Produkt-technische Spezifikationen

Hersteller Vishay Siliconix  
Reihe -  
Verpacken Rohr  
Teil-Status Aktiv  
Fet-Art N-Kanal  
Technologie MOSFET (Metalloxid)  
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss) 600V  
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C 21A (Tc)  
Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs 180 mOhm @ 11A, 10V  
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation 4V @ 250µA  
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs 86nC @ 10V  
Vgs (maximal) ±30V  
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds 1920pF @ 100V  
Fet-Eigenschaft -  
Verlustleistung (maximal) 227W (Tc)  
Betriebstemperatur -55°C | 150°C (TJ)  
Befestigung der Art Oberflächenberg  
Lieferanten-Gerät-Paket D2PAK  
Paket/Fall TO-263-3, d-² PAK (2 Führungen + Vorsprung), TO-263AB

 

OPA2107AU/2K5 TI PTH05050WAZ TI
THCV231-3L/CD TI TMS320DM8168CCYG2 TI
THC63LVD1024-1LTN TI PTH08T231WAD TI
TMS320F28035PNT TI TPS65920A2ZCHR TI
INA126PA TI LMH0344SQ/NOPB TI
TPS73533DRBR TI AD5412AREZ-REEL7 TI
TPS54319RTER TI ADS1241E/1K TI
IC12715001 TI TL16C552AFNR TI
THCV235-TB TI PGA204AU/1K TI
THCV236-ZY TI ADS8505IDWR TI
ADS8326IDGKR TI TMS320LF2407APGEA TI
ADS7816U/2K5 TI AM3703CUSD100 TI
DAC7558IRHBR TI TMS320DM8148CCYEA0 TI
ADSP-21489KSWZ-4B TI LMZ23610TZE/NOPB TI
TPS75801KTTR TI TPS2115ADRBR TI
Größe und Tag:

Mosfet-Leistungstransistor

Transistor der hohen Leistung

n-Kanal mosfet-Transistor

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